Память оперативная Samsung / Samsung 16GB UNB 3200, 1.2V 3200MHz DDR4 DIMM 1.2V [M378A2G43CB3-CWED0]

IRK250514
Реестр МПТ
:
Все характеристики
Небуферизованный модуль DIMM. Нет буфера или регистра: меньшее значение задержки. Поддерживает организацию x8/x16/до 2 рангов на конфигурацию DIMM и 2DPC....
Подробное описание

Наличие товара Samsung / Samsung 16GB UNB 3200, 1.2V [M378A2G43CB3-CWED0]

Срок доставки: По запросу

Доступно для заказа

Описание Samsung / Samsung 16GB UNB 3200, 1.2V [M378A2G43CB3-CWED0]

Небуферизованный модуль DIMM.
Нет буфера или регистра: меньшее значение задержки.
Поддерживает организацию x8/x16/до 2 рангов на конфигурацию DIMM и 2DPC.

Характеристики

Основные
Форм-факторDIMM
Тип памятиDDR4
Общий объем памяти16 Гбайт
Объем одного модуля16 Гбайт
Количество модулей в комплекте1 шт.
Быстродействие
Частота3200 МГц
Пропускная способностьPC4-25600
Тайминги
CAS Latency (CL)22
RAS to CAS Delay (tRCD)22
Row Precharge Delay (tRP)22
Конструкция
РадиаторНет
НизкопрофильнаяНет
Габариты
Габариты в упаковке18 x 3 x 1 см (ШхВхГ)
Вес в упаковке0.1 кг
Особенности Samsung / Samsung 16GB UNB 3200, 1.2V [M378A2G43CB3-CWED0]
Реестр МПТ
: