Модуль памяти Samsung 8GB DDR5 5600MHz SODIMM Non-ECC CL46 1.1V 1Rx16 Bulk [M425R1GB4BB0-CWM]

IRK307084
Количество модулей:
  • 1
Объем модуля:
  • 8 Gb
Стандарт памяти:
  • PC5-44800 (DDR5 5600 МГц)
Тип памяти:
  • DDR5
Все характеристики
Характеристики Основные характеристики Тип Модуль памяти Модель M425R1GB4BB0-CWM Назначение для ноутбуков Тип памяти Unbuffered...
Подробное описание

Наличие товара Samsung 8GB [M425R1GB4BB0-CWM]

Срок доставки: 10-14 дней

Доступно для заказа

Описание Samsung 8GB [M425R1GB4BB0-CWM]

Характеристики

Основные характеристики
ТипМодуль памяти
МодельM425R1GB4BB0-CWM
Назначениедля ноутбуков
Тип памятиUnbuffered
Форм-факторSODIMM
Стандарт памятиDDR5
Объем одного модуля, ГБ8
Количество модулей в комплекте, шт1
Суммарный объем, ГБ8
Эффективная частота, МГц5600
Пропускная способность, Мб/с44800
Поддержка ECCНет
НизкопрофильнаяНет
Игровая (для геймеров)Нет
Количество ранков1
Тайминги
CAS Latency (CL)46
RAS to CAS Delay (tRCD)46
Row Precharge Delay (tRP)46
Прочие характеристики
Напряжение питания, В1.1
Наличие радиатораНет
ПодсветкаНет
Вид поставкиOEM
Комплект поставкиМодуль памяти, документация (опция)
Особенности Samsung 8GB [M425R1GB4BB0-CWM]
Количество модулей:
  • 1
Объем модуля:
  • 8 Gb
Стандарт памяти:
  • PC5-44800 (DDR5 5600 МГц)
Тип памяти:
  • DDR5